Manipulation and characterization of graphene on silicon carbide (0001)

Diese Dissertation beschäftigt sich mit Graphen, das in Argon-Atmosphäre auf der (0001) Basalebene von Siliziumkarbid, auch Siliziumseite genannt, gezüchtet wird. (i) Sie liefert eine detaillierte Charakterisierung des gezüchteten Graphens mit Hilfe von Transportmessungen. (ii) Sie zeigt drei Wege auf, die Ladungsträgerdichte zu beeinflussen und dabei die Graphenschicht für eine weitere Manipulation und Charakterisierung mit Methoden der Oberflächenphysik zugänglich zu lassen. die eine weitere Manipulation und Charakterisierung des Graphens mit Methoden der Oberflächenphysik erlauben. (iii) Sie stellt ein Verfahren für die Herstellung von freitragenden Membranen aus Graphen, gewachsen auf Siliziumkarbid, vor.