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In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Mangan auf verschiedenen Si(111)-Oberflächen untersucht: zum Einen auf der reinen Si(111)-77- und zum Anderen auf zwei verschiedenen Si(111)-Wurzel(3)Wurzel(3): Bi-Rekonstruktionen. Die Schichten werden mittels MBE-Technik bei Raumtemperatur aufgebracht und nachträglich aufgeheizt. Direkt nach dem Wachstum ergeben sich Cluster, deren Zusammensetzung nicht festgestellt werden konnte. Nach dem Aufheizen auf Temperaturen um 500 °C bilden sich Silizide. Diese wachsen bei geringen Manganmengen als getrennte Inseln. Bei nominellen Schichtdicken ab etwa 1 nm bilden sich auf der 77-Oberfläche kristalline MnSi-Schichten in (111)-Orientierung mit bis ins Substrat reichenden Löchern, die bei der Silizidbildung als Siliziumquelle dienen. Die Oberfläche der Schichten weist eine hexagonale Modulation auf, deren Ursprung durch ein Moiré-Muster durch das MnSi in einer um ca. 1° verdrehten Lage zum Si erklärt werden kann. Bei nominellen Manganschichten von ca. 6 nm bilden sich Schraubenversetzungen und die Oberfläche zeigt keine regelmäßige Modulation mehr. Bei Schichtdicken von 10 nm Mn sind starke Vertiefungen im Siliziumsubstrat zu beobachten, die mit teilweise polykristallinem MnSi aufgefüllt sind. Das Wachstum auf der Wurzel(3)Wurzel(3): Bi-alpha-Phase unterscheidet sich nicht von dem auf der 77-Oberfläche. Das Bismut der Wurzel(3)Wurzel(3)-beta-Phase verhindert jedoch lange die Bildung von zusammenhängenden Schichten. Hier bleiben auch bei nominellen Schichtdicken von mehr als 1 nm einzelne jedoch deutlich höhere Inseln bestehen.
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Wachstum vom Manganschichten auf reinen und Bismut-rekonstruierten Si(111)-Oberflächen, Kai Schwinge
- Sprache
- Erscheinungsdatum
- 2006
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- Titel
- Wachstum vom Manganschichten auf reinen und Bismut-rekonstruierten Si(111)-Oberflächen
- Sprache
- Deutsch
- Autor*innen
- Kai Schwinge
- Verlag
- dissertation.de
- Erscheinungsdatum
- 2006
- ISBN10
- 3866240872
- ISBN13
- 9783866240872
- Kategorie
- Skripten & Universitätslehrbücher
- Beschreibung
- In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Mangan auf verschiedenen Si(111)-Oberflächen untersucht: zum Einen auf der reinen Si(111)-77- und zum Anderen auf zwei verschiedenen Si(111)-Wurzel(3)Wurzel(3): Bi-Rekonstruktionen. Die Schichten werden mittels MBE-Technik bei Raumtemperatur aufgebracht und nachträglich aufgeheizt. Direkt nach dem Wachstum ergeben sich Cluster, deren Zusammensetzung nicht festgestellt werden konnte. Nach dem Aufheizen auf Temperaturen um 500 °C bilden sich Silizide. Diese wachsen bei geringen Manganmengen als getrennte Inseln. Bei nominellen Schichtdicken ab etwa 1 nm bilden sich auf der 77-Oberfläche kristalline MnSi-Schichten in (111)-Orientierung mit bis ins Substrat reichenden Löchern, die bei der Silizidbildung als Siliziumquelle dienen. Die Oberfläche der Schichten weist eine hexagonale Modulation auf, deren Ursprung durch ein Moiré-Muster durch das MnSi in einer um ca. 1° verdrehten Lage zum Si erklärt werden kann. Bei nominellen Manganschichten von ca. 6 nm bilden sich Schraubenversetzungen und die Oberfläche zeigt keine regelmäßige Modulation mehr. Bei Schichtdicken von 10 nm Mn sind starke Vertiefungen im Siliziumsubstrat zu beobachten, die mit teilweise polykristallinem MnSi aufgefüllt sind. Das Wachstum auf der Wurzel(3)Wurzel(3): Bi-alpha-Phase unterscheidet sich nicht von dem auf der 77-Oberfläche. Das Bismut der Wurzel(3)Wurzel(3)-beta-Phase verhindert jedoch lange die Bildung von zusammenhängenden Schichten. Hier bleiben auch bei nominellen Schichtdicken von mehr als 1 nm einzelne jedoch deutlich höhere Inseln bestehen.