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Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte

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Fortschrittberichte VDI : Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik

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Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte, Holger Vogt

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1986
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