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Charakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch
Das Buch ist derzeit nicht auf Lager
Charakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch
Autoren
Alejandro Avellán Hampe
Parameter
ISBN
9783183371099
Verlag
VDI-Verl.
Kategorien
Skripten & Universitätslehrbücher
Fortschrittberichte VDI : Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik
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