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Zweidimensionale In-Plane-Gate-Transistoren: Herstellung durch n-Dotierung von AlxGa1-xAs-InyGa1-yAs-GaAs-Heterostrukturen mittels fokussierter Si-Ionenstrahlen
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Zweidimensionale In-Plane-Gate-Transistoren: Herstellung durch n-Dotierung von AlxGa1-xAs-InyGa1-yAs-GaAs-Heterostrukturen mittels fokussierter Si-Ionenstrahlen, Andrea Seekamp
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- Erscheinungsdatum
- 2004
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- (Paperback)
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- Titel
- Zweidimensionale In-Plane-Gate-Transistoren: Herstellung durch n-Dotierung von AlxGa1-xAs-InyGa1-yAs-GaAs-Heterostrukturen mittels fokussierter Si-Ionenstrahlen
- Sprache
- Deutsch
- Autor*innen
- Andrea Seekamp
- Verlag
- GCA-Verl.
- Erscheinungsdatum
- 2004
- Einband
- Paperback
- ISBN10
- 3898631672
- ISBN13
- 9783898631679
- Kategorie
- Skripten & Universitätslehrbücher