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Bei professionellen Veranstaltungen trägt die Beschallungsanlage mit mehreren hundert einzelnen Audioverstärkern einen wesentlichen Teil zum Klangerlebnis bei, die höchsten Anforderungen genügen müssen: Sie müssen möglichst effizient, leicht und handlich sein, Vorteile, die einen Klasse-D Verstärker kennzeichnen. Im Rahmen der vorliegenden Dissertation wird das Potential von Siliziumkarbid-Transistoren für die Klasse-D-Technik auf der Basis intensiver Untersuchungen von Schaltverhalten, Audioqualität sowie Leistung und Wirkungsgrad ergründet. Die Analyse der Audioqualität deckt interessante Aspekte auf, die zur Erweiterung der etablierten Theorie eines D-Verstärkers führen. Erstmalig wird der Zusammenhang zwischen den Halbleitereigenschaften des Transistors und der Audioqualität hergestellt. Die Dissertation gibt im Ausblick einen ganzheitlichen Ansatz, wie Siliziumkarbid-Transistoren in der Leistungsstufe des Verstärkers neue Perspektiven für die Klasse-D-Technik eröffnen.
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Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D, Verena Grifone Fuchs
- Sprache
- Erscheinungsdatum
- 2018
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- Titel
- Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
- Sprache
- Deutsch
- Autor*innen
- Verena Grifone Fuchs
- Erscheinungsdatum
- 2018
- ISBN10
- 3961820120
- ISBN13
- 9783961820122
- Kategorie
- Skripten & Universitätslehrbücher
- Beschreibung
- Bei professionellen Veranstaltungen trägt die Beschallungsanlage mit mehreren hundert einzelnen Audioverstärkern einen wesentlichen Teil zum Klangerlebnis bei, die höchsten Anforderungen genügen müssen: Sie müssen möglichst effizient, leicht und handlich sein, Vorteile, die einen Klasse-D Verstärker kennzeichnen. Im Rahmen der vorliegenden Dissertation wird das Potential von Siliziumkarbid-Transistoren für die Klasse-D-Technik auf der Basis intensiver Untersuchungen von Schaltverhalten, Audioqualität sowie Leistung und Wirkungsgrad ergründet. Die Analyse der Audioqualität deckt interessante Aspekte auf, die zur Erweiterung der etablierten Theorie eines D-Verstärkers führen. Erstmalig wird der Zusammenhang zwischen den Halbleitereigenschaften des Transistors und der Audioqualität hergestellt. Die Dissertation gibt im Ausblick einen ganzheitlichen Ansatz, wie Siliziumkarbid-Transistoren in der Leistungsstufe des Verstärkers neue Perspektiven für die Klasse-D-Technik eröffnen.