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Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Fldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet

Autoren

Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Fldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet, Rudolf Kässer

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Titel: Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Fldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet
Sprache: Deutsch
Autor*innen: Rudolf Kässer
Verlag: Juris-Druck und Verl.
Erscheinungsdatum: 1973
ISBN10: 3260035877
ISBN13: 9783260035876
Reihe: Publ[ikationen] / Abteilung für Industrielle Forschung am Institut für Technische Physik der Eidgenössischen Technischen Hochschule in Zürich
Schlagwörter: Fotografierung