Untersuchung der Relaxation und chemischen Zusammensetzung von sehr dünnen GaInN-GaN-Quantenfilm-Strukturen mit hohem Indiumgehalt

Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt in der Charakterisierung sehr dünner und hoch-indiumhaltiger GaInN/GaN-Quantenfilm-Strukturen. Es werden die Relaxation und die chemische Zusammensetzung dieser Strukturen untersucht. Zur Einführung werden in Kap. 2 die grundlegenden Eigenschaften der Gruppe-III-Nitride, wie auch die unterschiedlichen Gitterfehler erörtert. Eine in dem Zusammenhang verwendete Messmethode ist die Transmissions- Elektronen-Mikroskopie, welche in Kap. 3 mit einigen ihrer vielen Möglichkeiten eingeführt wird. Die Methoden zur Untersuchung der chemischen Zusammensetzung, insbesondere die Bestimmung der Indiumkonzentration der QWs in Verbindung mit hochauflösenden Röntgenbeugungsexperimenten, wird in Kap. 4 erklärt, an einem Beispiel diskutiert und miteinander verglichen. Folgend wird in Kap. 5 der Einfluss von Gitterstörungen auf die Verspannung erörtert. Dabei wird zwischen heteroepitaktischen Schichten, welche auf Saphir-Substraten abgeschieden wurden, und homoepitaktischen Schichten unterschieden und auf ihre Besonderheiten eingegangen. Im Kap. 6 wird auf den Indiumeinbau in den GaInN/GaN-Quatenfilmstrukturen ein- und der Frage nachgegangen, wie das Indium bei einem nominell unter zwei Nanometer dünnen GaInN-QW innerhalb des umgebenen GaN abgeschieden werden kann.